来源: 济南高新区
;2017-08-26
8月25日下午,山东大学“自支撑CVD金刚石单晶厚膜制备”项目启动会在高新区智能装备城召开,该项目作为超宽禁带半导体材料应用基础研究的重要方向之一,成功入选了2017年度山东省自然科学基金重大基础研究项目。
据了解,目前金刚石生长主要有两种方法,一种是高温高压法(HPHT),利用六面顶油压机模拟地下高温高压环境,利用晶种温度梯度法实现大尺寸金刚石单晶生长。另一种就是化学气象沉积法(CVD),利用含碳气体在高温和低压下被激发分解,形成活性金刚石碳原子,并在基体上沉积交互生长成金刚石,目前主流采用微波等离子体(MPCVD)法。
“自支撑CVD金刚石单晶厚膜制备”项目方向重点研究利用微波等离子化学气相沉积系统研究马赛克拼接法金刚石外延生长工艺,通过优化微波功率、气压和甲烷浓度、环境气氛等提升金刚石生长速率和晶体质量,实现20mm*20mm以上自支撑CVD金刚石单晶厚膜制备。
简单来讲,项目将在大尺寸金刚石单晶衬底研究上积极推进马赛克拼接法,利用济南中乌新材料有限公司HPHT金刚石单晶生长的优势,采用同一大直径HPHT金刚石单晶切割4片以上金刚石单晶片,通过定向和精细加工技术实现晶种马赛克拼接,利用MPCVD外延大尺寸金刚石厚膜。
项目将建立山东省在超宽禁带半导体材料与器件方面的领先优势,提升学科创新能力,强化晶体材料的国内领先优势,充实山东省超宽禁带半导体材料与器件重点实验室研究基础,并通过基础研究实现企业“生产一代、研发一代、储备一代”的产业布局,提升企业创新能力,培养硕士、博士等专业人才,提前布局产业知识产权。项目预计2019年下半年完成20mm*20mm自支撑CVD单晶厚膜制备,厚度达到1mm。
来自省科技厅及山东大学、北京大学、济南大学的领导、行业专家出席项目启动会,会议指出此项技术在国际上处于领先地位,希望各方携手把项目做实,与企业发展进行有机结合,为“产、学、研”紧密融合发展探出路子,创造先进经验。济南高新区有关负责人表示,将积极配合山东大学及济南中乌新材料有限公司研发需求,提供优质服务,为项目顺利开展创造优良环境。
(郭树蛟)
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